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雙極性晶體管（BJT）- 單個
2SARA41CHZGT116S參考圖片

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2SARA41CHZGT116S

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
45V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）
20nA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
420 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
200mW
頻率 - 躍遷
300MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商器件封裝
SOT-323
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 40V 3A TO-39
暫無價格
參考庫存:31706
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 100V 0.5A TO5
暫無價格
參考庫存:31714
雙極性晶體管（BJT）- 單個
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:31730
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 120V 0.05A SOT-346
暫無價格
參考庫存:31746
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE
暫無價格
參考庫存:66138
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