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UGBT、MOSFET - 單

IKD10N60RAATMA2參考圖片

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IKD10N60RAATMA2

制造商:Infineon Technologies
批號:最新
描述:IGBT 600V 20A 150W TO252-3
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參數信息

參數	參數值
包裝	標準卷帶
系列	TrenchStop?
零件狀態	最後搶購
IGBT 類型	溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）	600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）	20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)	30A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）	2.1V @ 15V，10A
功率 - 最大值	150W
開關能量	-
輸入類型	標準
柵極電荷	64nC
25°C 時 Td（開/關）值	14ns/192ns
測試條件	400V，10A，23 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）	62ns
工作溫度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型	表面貼裝型
封裝/外殼	TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝	PG-TO252-3

商品其它信息

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推薦型號

圖片	型號	制造商	分類	數據手冊	描述	參考價格	庫存數量
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	IXXA30N65C3HV	IXYS	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT	暫無價格	參考庫存:42361
	TIG064E8-TL-H	ON Semiconductor	UGBT、MOSFET - 單	PDF數據手冊	IGBT 400V ECH8	暫無價格	參考庫存:42369

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