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UGBT、MOSFET - 單
IXSQ20N60B2D1參考圖片

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IXSQ20N60B2D1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 600V 35A 190W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
35A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
35A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，16A
功率 - 最大值
190W
開關能量
380μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
33nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/116ns
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
30ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO268
暫無價格
參考庫存:31724
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247
暫無價格
參考庫存:31732
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
暫無價格
參考庫存:31740
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 10A 600V DPAK
暫無價格
參考庫存:31748
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
暫無價格
參考庫存:31756
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