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UGBT、MOSFET - 單
STGD6NC60H-1參考圖片

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STGD6NC60H-1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
PowerMESH?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
15A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
21A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，3A
功率 - 最大值
62.5W
開關能量
20μJ（開），68μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
13.6nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/76ns
測試條件
390V，3A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
390V，3A，10 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝
IPAK（TO-251）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 160W D2PAK
暫無價格
參考庫存:40926
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 179W TO247
暫無價格
參考庫存:40942
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
暫無價格
參考庫存:40950
UGBT、MOSFET - 單
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
暫無價格
參考庫存:40958
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A 190W TO247
暫無價格
參考庫存:40974
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