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FET,MOSFET - 陣列
SI4618DY-T1-GE3參考圖片

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SI4618DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
2 個 N 通道(半橋)
FET 功能
標準
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
8A,15.2A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
17 毫歐 @ 8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
44nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1535pF @ 15V
功率 - 最大值
1.98W,4.16W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝
8-SO
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
暫無價格
參考庫存:7025
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD
暫無價格
參考庫存:53246
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
暫無價格
參考庫存:97048
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:53298
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
暫無價格
參考庫存:53314
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