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FET，MOSFET - 陣列
US6M11TR參考圖片

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US6M11TR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V，12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.5A，1.3A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
110pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
TUMT6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:41911
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
暫無價格
參考庫存:41919
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
暫無價格
參考庫存:41927
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
暫無價格
參考庫存:41951
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41969
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