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FET，MOSFET - 陣列
SI3900DV-T1-GE3參考圖片

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SI3900DV-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N-通道（雙）
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
830mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝
6-TSOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
暫無價格
參考庫存:44257
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
暫無價格
參考庫存:44265
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:44273
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
暫無價格
參考庫存:44289
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:44297
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