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FET，MOSFET - 陣列
VT6M1T2CR參考圖片

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VT6M1T2CR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平柵極，1.2V 驅動
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100mA
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.5 歐姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
VMT6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
暫無價格
參考庫存:44720
FET，MOSFET - 陣列
AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
暫無價格
參考庫存:44728
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6
暫無價格
參考庫存:44736
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
暫無價格
參考庫存:44744
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
暫無價格
參考庫存:44752
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