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FET，MOSFET - 陣列
EPC2106ENGRT參考圖片

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EPC2106ENGRT

  • EPC
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  • GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.7A
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
70 毫歐 @ 2A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
0.73nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
75pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:43013
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
暫無價格
參考庫存:43021
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
暫無價格
參考庫存:43045
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
暫無價格
參考庫存:43053
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:43061
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