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FET,MOSFET - 陣列
EPC2110參考圖片

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EPC2110

  • EPC
  • 最新
  • GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
eGaN?
零件狀態
有源
FET 類型
2 N 溝道(雙)共源
FET 功能
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
120V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
3.4A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
60 毫歐 @ 4A,5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
0.8nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
-40°C ~ 150°C(TJ)
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
暫無價格
參考庫存:121318
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
暫無價格
參考庫存:3570
FET,MOSFET - 陣列
2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET
暫無價格
參考庫存:16322
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:38824
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
暫無價格
參考庫存:91326
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