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FET，MOSFET - 射頻

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BLF4G10LS-160,112

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
894.2MHz
增益
19.7dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
15A
噪聲系數
-
電流 - 測試
900mA
功率 - 輸出
160W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
SOT-502B
供應商器件封裝
SOT502B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
BLM9H0610S-60PG/OMP780/TRAYDP
暫無價格
參考庫存:34068
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-34288-4
暫無價格
參考庫存:34076
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:34102
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S
暫無價格
參考庫存:34110
FET，MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
暫無價格
參考庫存:34118
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