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FET，MOSFET - 射頻

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MRF6S21060MBR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
2.12GHz
增益
15.5dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
610mA
功率 - 輸出
14W
電壓 - 額定
68V
封裝/外殼
TO-272-4
供應商器件封裝
TO-272 WB-4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 960MHZ NI-780
暫無價格
參考庫存:35706
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S
暫無價格
參考庫存:35714
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 1.99GHZ NI-78O
暫無價格
參考庫存:35722
FET，MOSFET - 射頻
FET RF TO-270-2 GW
暫無價格
參考庫存:35730
FET，MOSFET - 射頻
IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2
暫無價格
參考庫存:35738
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