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FET，MOSFET - 射頻
BLP10H660PGY參考圖片

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BLP10H660PGY

  • Ampleon USA Inc.
  • 最新
  • RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
1GHz
增益
18dB
電壓 - 測試
50V
額定電流（安培）
1.4μA
噪聲系數
-
電流 - 測試
40mA
功率 - 輸出
60W
電壓 - 額定
110V
封裝/外殼
SOT-1224-2
供應商器件封裝
4-HSOPF
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
TRANS RF 500W 250V STAC177B
暫無價格
參考庫存:39738
FET，MOSFET - 射頻
RF TRANSISTOR 100W TO-220
暫無價格
參考庫存:12550
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
暫無價格
參考庫存:12081
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
暫無價格
參考庫存:11876
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
暫無價格
參考庫存:39796
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