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FET，MOSFET - 射頻

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BLP10H660PY

  • Ampleon USA Inc.
  • 最新
  • RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
1GHz
增益
18dB
電壓 - 測試
50V
額定電流（安培）
1.4μA
噪聲系數
-
電流 - 測試
40mA
功率 - 輸出
60W
電壓 - 額定
110V
封裝/外殼
SOT-1223-2
供應商器件封裝
4-HSOPF
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S
暫無價格
參考庫存:37042
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S
暫無價格
參考庫存:37050
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
暫無價格
參考庫存:37058
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
暫無價格
參考庫存:37066
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
暫無價格
參考庫存:37074
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