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| 參數 | 參數值 |
|---|---|
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包裝
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管件
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系列
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GaN
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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HEMT
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頻率
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0Hz ~ 4GHz
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增益
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12.5dB
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電壓 - 測試
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28V
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額定電流(安培)
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28A
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噪聲系數
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-
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電流 - 測試
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1A
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功率 - 輸出
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100W
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電壓 - 額定
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84V
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封裝/外殼
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440199
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供應商器件封裝
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440199
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| 圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAYDP
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暫無價格
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參考庫存:2982
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FET,MOSFET - 射頻
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RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ
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暫無價格
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參考庫存:30872
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FET,MOSFET - 射頻
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RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111
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暫無價格
|
參考庫存:30880
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FET,MOSFET - 射頻
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IC TRANS RF LDMOS
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暫無價格
|
參考庫存:30888
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|
FET,MOSFET - 射頻
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FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4
|
暫無價格
|
參考庫存:30896
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