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FET，MOSFET - 射頻
A2I25D025GNR1參考圖片

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A2I25D025GNR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
2.69GHz
增益
31.9dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
59mA
功率 - 輸出
3.2W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
TO-270-17 變型，鷗翼
供應商器件封裝
TO-270WBG-17
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
IC TRANS RF LDMOS
暫無價格
參考庫存:38086
FET，MOSFET - 射頻
RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C
暫無價格
參考庫存:10254
FET，MOSFET - 射頻
RF MOSFET TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:38112
FET，MOSFET - 射頻
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
暫無價格
參考庫存:10012
FET，MOSFET - 射頻
FET RF NCH 170V 30MHZ M174
暫無價格
參考庫存:38122
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