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FET，MOSFET - 單個
SIHG100N60E-GE3參考圖片

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SIHG100N60E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET E SERIES 600V TO247AC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
E
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1851pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH SOT23-3
暫無價格
參考庫存:17940
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
暫無價格
參考庫存:34942
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
暫無價格
參考庫存:30449
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 60V 17A POWER33
暫無價格
參考庫存:17946
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
暫無價格
參考庫存:10950
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