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FET，MOSFET - 單個
NTD5865N-1G參考圖片

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NTD5865N-1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
43A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
18 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1261pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247
暫無價格
參考庫存:59743
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
暫無價格
參考庫存:59767
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
暫無價格
參考庫存:59775
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
暫無價格
參考庫存:59783
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
暫無價格
參考庫存:59807
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