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FET，MOSFET - 單個
BUK9E6R1-100E,127參考圖片

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BUK9E6R1-100E,127

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.9 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
133nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
17460pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
349W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
暫無價格
參考庫存:36045
FET，MOSFET - 單個
30V SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFE
暫無價格
參考庫存:36053
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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參考庫存:36061
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:36069
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
暫無價格
參考庫存:36077
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