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FET,MOSFET - 單個
SIE800DF-T1-GE3參考圖片

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SIE800DF-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
50A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
7.2 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
35nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1600pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
5.2W(Ta),104W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
10-PolarPAK?(S)
封裝/外殼
10-PolarPAK?(S)
商品其它信息
優勢價格,SIE800DF-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
暫無價格
參考庫存:59326
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 28A 150A 5DFN
暫無價格
參考庫存:46949
FET,MOSFET - 單個
TRENCH 6 40V SL NFET
暫無價格
參考庫存:46957
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 23A TO220
暫無價格
參考庫存:46965
FET,MOSFET - 單個
AFSM T6 40V SG NCH
暫無價格
參考庫存:46973
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