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FET，MOSFET - 單個
PH3830L,115參考圖片

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PH3830L,115

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
98A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.8 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
33nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3190pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39335
FET，MOSFET - 單個
HIGH POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:39343
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V
暫無價格
參考庫存:39351
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
暫無價格
參考庫存:39359
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
暫無價格
參考庫存:39383
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