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FET,MOSFET - 單個
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AOT12N65_001

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
720 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2150pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
暫無價格
參考庫存:9759
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
暫無價格
參考庫存:13752
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
暫無價格
參考庫存:13754
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
暫無價格
參考庫存:15565
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
暫無價格
參考庫存:16274
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