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FET，MOSFET - 單個

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ISS55EP06LMXTSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
180mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
5.5 歐姆 @ 180mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 11μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
590pC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
18pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT23-3-5
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30552
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30560
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:30568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
暫無價格
參考庫存:30576
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
暫無價格
參考庫存:30584
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