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FET，MOSFET - 單個
SCT10N120H參考圖片

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SCT10N120H

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
690 毫歐 @ 6A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
22nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
290pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
HiP247?
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:61536
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:61544
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323
暫無價格
參考庫存:61560
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
暫無價格
參考庫存:61568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
暫無價格
參考庫存:61576
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