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FET,MOSFET - 單個
SIHB6N80E-GE3參考圖片

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SIHB6N80E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263
  • 數(shù)據(jù)手冊下載
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
E
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
5.4A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
940 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
44nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
827pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK(TO-263)
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHB6N80E-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
暫無價格
參考庫存:7373
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
暫無價格
參考庫存:4885
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
暫無價格
參考庫存:27554
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
暫無價格
參考庫存:40056
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
暫無價格
參考庫存:32564
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