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FET，MOSFET - 單個
SI4451DY-T1-E3參考圖片

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SI4451DY-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8.25 毫歐 @ 14A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 850μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
120nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
暫無價格
參考庫存:34659
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 5.5A MCPH6
暫無價格
參考庫存:34667
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
暫無價格
參考庫存:34675
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V DPAK
暫無價格
參考庫存:52114
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
暫無價格
參考庫存:52116
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