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FET，MOSFET - 單個
IXTA6N100D2HV參考圖片

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IXTA6N100D2HV

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.2 歐姆 @ 3A，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
95nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2650pF @ 10V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263HV
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
暫無價格
參考庫存:44817
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
暫無價格
參考庫存:14516
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
暫無價格
參考庫存:44827
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
暫無價格
參考庫存:44835
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:44843
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