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FET，MOSFET - 單個

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IXTF6N200P3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
Polar?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
2000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.2 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
143nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3700pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
215W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
ISOPLUS i4-PAC?
封裝/外殼
ISOPLUSi5-Pak?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
暫無價格
參考庫存:28430
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
暫無價格
參考庫存:41426
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
暫無價格
參考庫存:41434
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:13214
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
暫無價格
參考庫存:41444
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