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FET,MOSFET - 單個
SQS850EN-T1_GE3參考圖片

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SQS850EN-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
21.5 毫歐 @ 6.1A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
41nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2021pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
33W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SQS850EN-T1_GE3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
暫無價格
參考庫存:16126
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
暫無價格
參考庫存:196128
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
暫無價格
參考庫存:113630
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:16132
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
暫無價格
參考庫存:4479
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