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FET，MOSFET - 單個
IXFN110N60P3參考圖片

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IXFN110N60P3

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?，Polar3?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
56 毫歐 @ 55A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
245nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
18000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1500W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:57598
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
暫無價格
參考庫存:57606
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:57614
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:57622
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
暫無價格
參考庫存:57630
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