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FET，MOSFET - 單個
TP65H070LSG參考圖片

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TP65H070LSG

  • Transphorm
  • 最新
  • 650 V 25 A GAN FET
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TP65H070L
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
25A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
85 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.8V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
9.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
600pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
3-PQFN（8x8）
封裝/外殼
3-PowerDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
暫無價格
參考庫存:51774
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:51782
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
暫無價格
參考庫存:51790
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
暫無價格
參考庫存:51798
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
暫無價格
參考庫存:51814
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