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FET,MOSFET - 單個
TPH3205WSBQA參考圖片

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TPH3205WSBQA

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 35A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
汽車級,AEC-Q101
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
35A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
62 毫歐 @ 22A,8V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
42nC @ 8V
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2200pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29888
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
暫無價格
參考庫存:29896
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
暫無價格
參考庫存:29904
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:29912
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:29920
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