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FET，MOSFET - 單個
TPH3205WSBQA參考圖片

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TPH3205WSBQA

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 35A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
62 毫歐 @ 22A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
42nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2200pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 39A TO220F
暫無價格
參考庫存:35885
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:48744
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
暫無價格
參考庫存:453782
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
暫無價格
參考庫存:5024
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
暫無價格
參考庫存:5256
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