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FET,MOSFET - 單個
SI3493BDV-T1-GE3參考圖片

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SI3493BDV-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
27.5 毫歐 @ 7A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
43.5nC @ 5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1805pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.08W(Ta),2.97W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
暫無價格
參考庫存:34461
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
暫無價格
參考庫存:34469
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
暫無價格
參考庫存:34485
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
暫無價格
參考庫存:34501
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
暫無價格
參考庫存:34509
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