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FET，MOSFET - 單個
SIHH11N60EF-T1-GE3參考圖片

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SIHH11N60EF-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
357 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
62nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1078pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
114W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 8 x 8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
優勢價格，SIHH11N60EF-T1-GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
暫無價格
參考庫存:33217
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
暫無價格
參考庫存:33225
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
暫無價格
參考庫存:33233
FET，MOSFET - 單個
GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
暫無價格
參考庫存:33241
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
暫無價格
參考庫存:33249
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