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FET，MOSFET - 單個
SISS98DN-T1-GE3參考圖片

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SISS98DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
ThunderFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
14.1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
105 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
14nC @ 7.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
608pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
暫無價格
參考庫存:855375
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
暫無價格
參考庫存:7014
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
暫無價格
參考庫存:14516
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:14518
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:14522
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