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FET，MOSFET - 單個
SIDR626DP-T1-GE3參考圖片

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SIDR626DP-T1-GE3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
42.8A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
102nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5130pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8DC
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
暫無價格
參考庫存:52729
FET，MOSFET - 單個
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
暫無價格
參考庫存:52737
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF
暫無價格
參考庫存:52747
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
暫無價格
參考庫存:52757
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
暫無價格
參考庫存:52765
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