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FET，MOSFET - 單個
SIS892ADN-T1-GE3參考圖片

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SIS892ADN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
28A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
33 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
19.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
550pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE
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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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參考庫存:16766
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