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FET，MOSFET - 單個
CSD17313Q2Q1T參考圖片

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CSD17313Q2Q1T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
NexFET?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
30 毫歐 @ 4A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
340pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta）, 17W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-WSON（2x2）
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
暫無價格
參考庫存:29131
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29139
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
暫無價格
參考庫存:29147
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23
暫無價格
參考庫存:29155
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
暫無價格
參考庫存:29163
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