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FET，MOSFET - 單個
DMN10H170SVT-7參考圖片

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DMN10H170SVT-7

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
160 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
9.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1167pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSOT-26
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:43157
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:43181
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO220
暫無價格
參考庫存:43189
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
暫無價格
參考庫存:43197
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
暫無價格
參考庫存:43229
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