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FET，MOSFET - 單個
SI2312CDS-T1-GE3參考圖片

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SI2312CDS-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
31.8 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
18nC @ 5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
865pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
暫無價格
參考庫存:42693
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
暫無價格
參考庫存:42757
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:42781
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 195A
暫無價格
參考庫存:42821
FET，MOSFET - 單個
CONSUMER
暫無價格
參考庫存:42829
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