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FET,MOSFET - 單個
SCT3030ARC14參考圖片

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SCT3030ARC14

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
70A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
39 毫歐 @ 27A,18V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
104nC @ 18V
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1526pF @ 500V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
262W
工作溫度
175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4L
封裝/外殼
TO-247-4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:43639
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
暫無價格
參考庫存:4020
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
暫無價格
參考庫存:43649
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
暫無價格
參考庫存:41720
FET,MOSFET - 單個
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
暫無價格
參考庫存:5162
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