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FET，MOSFET - 單個
RHU002N06FRAT106參考圖片

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RHU002N06FRAT106

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 4V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 QU
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參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.4 歐姆 @ 200mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
15pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
UMT3
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50438
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
暫無價格
參考庫存:50446
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 9A BGA
暫無價格
參考庫存:50454
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
暫無價格
參考庫存:50462
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50470
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