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FET，MOSFET - 單個

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TPN4R806PL,L1Q

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
U-MOSIX-H
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
72A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
3.5 毫歐 @ 36A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
29nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2770pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
630mW（Ta）, 104W（Tc）
工作溫度
175°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSON Advance（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
暫無價格
參考庫存:40191
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH DFN
暫無價格
參考庫存:40199
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V SOT23
暫無價格
參考庫存:40207
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V
暫無價格
參考庫存:40223
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8DFN
暫無價格
參考庫存:40231
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