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FET,MOSFET - 單個

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TPN4R806PL,L1Q

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
U-MOSIX-H
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
72A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3.5 毫歐 @ 36A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
29nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2770pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
630mW(Ta), 104W(Tc)
工作溫度
175°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSON Advance(3.3x3.3)
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500
暫無價格
參考庫存:51897
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8
暫無價格
參考庫存:51905
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:51913
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
暫無價格
參考庫存:51921
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
暫無價格
參考庫存:51937
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