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FET，MOSFET - 單個
CSD25310Q2T參考圖片

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CSD25310Q2T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
23.9 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
655pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-WSON（2x2）
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
TRANSISTOR
暫無價格
參考庫存:39673
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
暫無價格
參考庫存:39681
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
暫無價格
參考庫存:39689
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
暫無價格
參考庫存:39697
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
暫無價格
參考庫存:39713
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