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TC58BYG1S3HBAI6

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
Benand?
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量
2Gb （256M x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
67-VFBGA
供應商器件封裝
67-VFBGA（6.5x8）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
暫無價格
參考庫存:35821
存儲器
IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
暫無價格
參考庫存:35829
存儲器
SERIAL NOR SLC 128MX8 TBGA DDP
暫無價格
參考庫存:35837
存儲器
IC FLASH 4G SPI UPDFN
暫無價格
參考庫存:35853
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
暫無價格
參考庫存:35861
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