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存儲器

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AS4C512M8D3B-12BANTR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q100
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3
存儲容量
4Gb （512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
800MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.425V ~ 1.575V
工作溫度
-40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-VFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA（9x10.5）
商品其它信息
優勢價格，AS4C512M8D3B-12BANTR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON
暫無價格
參考庫存:40655
存儲器
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參考庫存:40663
存儲器
IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA
暫無價格
參考庫存:40671
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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
暫無價格
參考庫存:40679
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
暫無價格
參考庫存:40687
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