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存儲器
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R1LV0108ESN-5SI#B0

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM
存儲容量
1Mb （128K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
55ns
訪問時間
55ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
32-SOIC（0.450"，11.40mm 寬）
供應商器件封裝
32-SOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8TDFN
暫無價格
參考庫存:62962
存儲器
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8TDFN
暫無價格
參考庫存:62970
存儲器
IC EEPROM 4K SPI 10MHZ 8DFN
暫無價格
參考庫存:62978
存儲器
IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:62994
存儲器
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:63002
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