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存儲器
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IDT71V416YS10Y8

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 異步
存儲容量
4Mb （256K x 16）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
10ns
訪問時間
10ns
電壓 - 電源
3V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝
44-SOJ
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PAR 1.875NS 134VFBGA
暫無價格
參考庫存:54268
存儲器
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存儲器
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
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參考庫存:54284
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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參考庫存:54300
存儲器
IC DRAM LPDDR4 4G FBGA
暫無價格
參考庫存:54308
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