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產品分類

存儲器
CY14B104N-BA20XI參考圖片

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CY14B104N-BA20XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （256K x 16）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
20ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA（6x10）
商品其它信息
優勢價格，CY14B104N-BA20XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 4M PARALLEL 48WFBGA
暫無價格
參考庫存:38109
存儲器
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:38125
存儲器
IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:38157
存儲器
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:15629
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:38191
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