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存儲器
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IDT71V35761YSA200BQI8

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，SDR
存儲容量
4.5Mb （128K x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
3.135V ~ 3.465V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-TBGA
供應商器件封裝
165-CABGA（13x15）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 1K I2C 400KHZ WAFER
暫無價格
參考庫存:27401
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參考庫存:27409
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IC EEPROM 1K SPI 2MHZ WAFER
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IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOIC
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參考庫存:27425
存儲器
IC FLASH 1M PARALLEL 32VSOP
暫無價格
參考庫存:27433
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